BD239-S

产品描述

Transistors Bipolar - BJT 45V 2A NPN

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规格书	BD239x
文档	TISP Series Feb/2013 TO-220 Material Declaration
RoHS信息	TO-220 材料 Declaration
标准包装	15,000
晶体管类型	NPN
集电极电流（Ic）（最大）	2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	45V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	700mV @ 200mA, 1A
电流 - 集电极截止（最大）	300µA
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	15 @ 1A, 4V
功率 - 最大	2W
频率转换	-
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-220-3
供应商器件封装	TO-220
包装材料	Tube
集电极最大直流电流	2
最小直流电流增益	40@0.2A@4V\|15@1A@4V
欧盟RoHS指令	Compliant
最高工作温度	150
包装宽度	4.7(Max)
标准包装名称	TO-220
包装高度	8.72(Max)
安装	Through Hole
最大功率耗散	30000
最大基地发射极电压	5
PCB	3
最低工作温度	-65
每个芯片的元件数	1
标签	Tab
供应商封装形式	TO-220
包装长度	10.4(Max)
最大集电极发射极电压	45
类型	NPN
引脚数	3
铅形状	Through Hole
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	2A
晶体管类型	NPN
安装类型	Through Hole
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	700mV @ 200mA, 1A
电流 - 集电极截止（最大）	300µA
标准包装	15,000
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	45V
供应商设备封装	TO-220
封装	Tube
功率 - 最大	2W
封装/外壳	TO-220-3
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	15 @ 1A, 4V
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant

型号	厂家	产品描述
BD239	Bourns	Transistors Bipolar - BJT 30W NPN Silicon
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